為了推動AI等創新應用的落地，使其惠及更廣大的用戶，需要指數級增長的運算能力。因此，半導體產業正在不斷拓展晶片製造的界限，探索提升性能、降低功耗的創新途徑。

在這樣的背景下，過去僅用於散熱和保護裝置的封裝技術正從幕後走向台前，成為業界的熱門趨勢。與傳統封裝技術不同的是，先進封裝技術可以在單一裝置內整合來自不同廠商、不同製程、不同大小以及不同功能的晶片，為打造效能更強大、能源效率更高的系統單晶片（SoC）開創了新的可能性。

英特爾一直致力於將處理器、加速器和記憶體等各種晶片堆疊起來，組合到更大規模的封裝中，幫助客戶提升產品性能至更高層次。在2025 IEEE電子器件技術大會（ECTC）上，英特爾分享了其在封裝技術方面的最新進展。ECTC由IEEE（電氣電子工程師學會）電子封裝協會主辦，專注於封裝、器件及微電子系統的研究、技術與教育，是封裝領域的國際頂尖會議。

具體來說，英特爾在封裝領域的三大關鍵技術路徑包括：提高封裝良率、確保供電穩定可靠，以及通過有效的熱管理技術實現散熱。

EMIB-T：穩定供電

英特爾的EMIB（嵌入式多晶片互連橋接）技術已經進入生產階段，突破了光罩尺寸的限制，達成了多晶片之間的高速互聯。此外，藉由硅通孔（TSV）技術，EMIB-T優化了供電效率，並為集成高速HBM4以及基於UCIe標準的芯粒提供了簡便的解決方案。

熱壓鍵合：提高良率

隨著封裝尺寸越來越大，集成多晶片的複雜度也在同步上升。英特爾計劃通過探索高精度、大光罩熱壓鍵合（TCB）的先進工藝來提高良率和可靠性。

分解式散熱器：高效散熱

隨著封裝變得越來越複雜，尺寸也越來越大，熱設計功耗（TDP）也在不斷增加。面對散熱層面的挑戰，英特爾正在研發全新的分解式散熱器技術以及新一代熱界面材料。這些創新能夠更有效地將熱量從熱源傳遞到散熱器的不同部分，從而提升整體的散熱效率。